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BD682詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：4A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-32-3; 包裝：管件

BD682詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：4A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-32; 包裝：管件

BD682詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL PNP 4A 100V TO225AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：4A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO225AA; 包裝：散裝

BD682G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL PNP 4A 100V TO225AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：4A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO225AA; 包裝：散裝

BD682S詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 100V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：4A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：14W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-126; 包裝：散裝

BD682STU詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 100V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：4A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 電流_集電極截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：14W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-126; 包裝：管件

APXA100ARA151MH70G
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 150UF 10V 20% SMD
AQ11EM0R8BA1ME\500
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 0.8PF 150V 0606
BD679A
晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR DARL NPN SOT-32
B32674D6475K
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 4.7UF 630VDC RADIAL
BC237BRL1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
AFD58-16-8PW-6141
圓形 - 外殼 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
BAT750TA
單二極管/整流器 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23-3
3G3AX-REM00K6035-IE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3G3_X BRAKING RESISTOR
AQ11EM100FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 10PF 150V 1% 0606
B32674D8105K
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 1UF 875VDC RADIAL
BC237G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
BAT754L,115
二極管，整流器 - 陣列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SCHTK TRPL 30V 200MA6TSSOP
3G3AX-REM00K9020-IE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 3G3_X BRAKING RESISTOR
AFD58-16-8PY-6139
圓形 - 外殼 TE Connectivity 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
AQ11EM101JA1BE
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 100PF 150V 5% 0606